zrhfeng
修 行: 中级站友
第1 贴． 发表时间: 04-03-25 16:41 
大家好!想问一下个位高手,谁能说清楚熔接点的IL对PDL的影响呢?!

  夜雨听声
修 行: 高级站友
第2 贴． 发表时间: 04-03-26 16:27                   
应该没有影响
 
  Member
修 行: 孩子王
第3 贴． 发表时间: 04-03-26 16:35                   
这个问题主要看你熔接点的情况了，如果是一个气泡，那惨了，肯定受影响，如果只是简单的没有对准，那影响很小，基本没有多大的影响。

  Frankxiao
修 行: 一般站友
第4 贴． 发表时间: 04-03-28 12:42                   
據我所知，應該是沒多大影響！
 
  shaben
修 行: 离恨宫宫主
第5 贴． 发表时间: 04-03-28 16:12                   
如果有气泡等情况，从理论上讲可能会引入不均匀应力，从而影响PDL，或者在做拉力检验或者封热缩管时，引入了不均匀的力，也应该如此，不过到底这样的不均匀应力有多大，几率多高，傻笨也不知道。一般经验来说，确实可能影响很小。

  zrhfeng
修 行: 中级站友
第6 贴． 发表时间: 04-03-28 17:37                     
PDL是会有变化的,其实我知道变化不大,但我想知道的是:当IL增大时,PDL的变化趋势,以及WDL的变化趋势等.^&^

  zrhfeng
修 行: 中级站友
第7 贴． 发表时间: 04-03-28 17:39                     
顺便问一下:PDL受什么东东的影响呢?!那些又是最能影响它的呢?!
 
  Member
修 行: 孩子王
第8 贴． 发表时间: 04-03-29 08:54                   
PDL主要受材料本身的均匀性和入射角度的影响，其他也有影响，比如表面光洁度等，但是一般大家都选择比较好的材料，所以这个不是很大的原因。
当IL变大的时候PDL也不怎么变化，因为以前有几次我测量产品的时候出了点问题，插损有20dB，但是PDL却很好，可见，插损对PDL影响不是很大。但是WDL主要看你设计的情况了，一般这个很小。

  夜雨听声
修 行: 高级站友
第9 贴． 发表时间: 04-03-29 14:54                   
WDL主要看器件的设计和原材料的镀膜情况，跟IL和PDL好像没有什么太大的关系。
 
  诚然
修 行: 一般站友
第11 贴． 发表时间: 04-03-29 22:00
我想zrhfeng问的是在融接两根光纤时，熔接点的IL对PDL的影响。在这种情况下，一般来说，PDL和WDL随IL的增加而变大。测一下用错位融接方法做的固定衰减器就知道了。

  yamaha
修 行: 一般会员 
第12 贴． 发表时间: 04-03-30 15:00 
多谢啦

  zrhfeng
修 行: 中级站友
第13 贴． 发表时间: 04-03-31 16:40
我做了个小实验,怎么结果是WDL会随着IL增大而增大,但是PDL没有多大的影响呢?!

  诚然
修 行: 一般站友

第14 贴． 发表时间: 04-04-01 07:34 
当IL小于5dB时，PDL的增加不是很明显，当IL大于5dB以后，可以看出明显的PDL变化。
 
  Member
修 行: 孩子王 
第15 贴． 发表时间: 04-04-01 08:12
你使用的是什么波长？？？980？1310？1550？1610？还是别的？
你有没有看看光纤本身有没有什么影响？

  zrhfeng
修 行: 中级站友 
第16 贴． 发表时间: 04-04-01 14:36
PDL多大是你所认为的明显变化呢?!我怎么测得结果IL在10dB以下,PDL都是在0.02dB以下呢!当然,不同型号的熔接机测试出来的结果是不完全相同的了! 波长是用EXFO扫描的啦!!
 
  shaben
修 行: 离恨宫宫主
第17 贴． 发表时间: 04-04-01 18:12 
估计这个和焊接的损耗机制有关，例如两种不同的光纤，两侧的折射率不同，气泡，偏心后光的方向变化等都可能。傻笨甚至怀疑两种光纤的熔点不同，而电极只在上下两个方向加热，所以造成了一些畸变。
 
  Member
修 行: 孩子王
第18 贴． 发表时间: 04-04-02 08:07
俺感觉这个情况很奇怪，如果真的是这样，那俺们的产品就没法做了！
因为根据俺扫描的结果，基本没有什么影响（数值超过1dB时，俺没有扫过）。
 
  shaben
修 行: 离恨宫宫主 
第19 贴． 发表时间: 04-04-03 16:58
或许因为我们从来没有做过这么大损耗的焊点吧，一般遇到焊点损耗大，都是直接重焊的。
 
  Member
修 行: 孩子王
第20 贴． 发表时间: 04-04-05 08:11
俺不知道这么大的插损为什么不重新焊接，但是俺感觉焊接点对一些参数的影响很小。可能对插损的影响还是最大的。

  FENGZHUANG
修 行: 中级会员
第21 贴． 发表时间: 04-04-07 17:03
俺只知道PDL是由于O光和E光能量分配不均匀所产生的,随着损耗的增大,能量分配差距大,PDL就会增大!(个人意见,供参考)
 
  Member
修 行: 孩子王 
第22 贴． 发表时间: 04-04-08 13:33
所以当焊接点存在某种内在的应力的时候，容易产生应力双折射，从而PDL会不好，但是这个的影响还是比较随机的，至于焊成什么样子谁都比较难说。 

  zrhfeng
修 行: 中级站友
第23 贴． 发表时间: 04-04-11 14:12
不过,当要是需要衰减的时候,就不得不产生较大的IL损耗了!!
 
  Member
修 行: 孩子王 
第24 贴． 发表时间: 04-04-12 07:41
呵呵，如果真的需要，那就只有自己做做看了，俺没有做过，所以不知道IL大了的影响，这个可能不是简单的插损衰减问题，可能设计到别的东西，如光束质量等，呵呵，不清楚.....

  zrhfeng
修 行: 中级站友
第25 贴． 发表时间: 04-04-13 09:35
单膜光纤和多膜光纤的结果回会有差吗?!
 
  Member
修 行: 孩子王
第26 贴． 发表时间: 04-04-15 07:56
这个俺也不清楚，没有专门做试验过，估计影响差不多吧，对比来说，可能单模的影响大一些，呵呵，俺也不清楚啊，高手指点一下.....
 
  shaben
修 行: 离恨宫宫主
第27 贴． 发表时间: 04-04-17 18:03
是指单模光纤和多模光纤两种不同光纤焊接，还是指多模和多模、单模和单模焊接的区别，估计多模中，PDL不大，因为每个模不一直，最后造成的结果是一个平均的结果。

  zrhfeng
修 行: 中级站友
第28 贴． 发表时间: 04-04-19 10:32 
我指的是单模对单模,双模对双模的连接损耗!不过,我认为应该差别不大!
 
  GDFT2005
修 行: 版主
第29 贴． 发表时间: 04-08-01 17:36 
大家的言论给我这个新手很多启迪﹐谢谢﹗
鄙人认为﹕PDL一般只会受到光传输路径中材料介质的影响﹐所以如果熔接成功﹐光纤没有严重弯曲﹐PDL的测试数据不会有什幺变化。而WDL就不同﹐也就是说不同的波长点的插入损失会不一样﹐在LOSS很大的时候﹐WDL就会有变大的趋势。
大家的言论给我这个新手很多启迪﹐谢谢﹗
看来是应该多来见见世面啊﹐学习啊。
 
  ADFGFF
修 行: 中级会员 
第30 贴． 发表时间: 04-08-02 08:11
變化量多少﹐才叫有影響呢?
我用的測試系統﹐本身量測誤差就是+/-0.01dB..
不知道大家的如何?

FENGZHUANG
修 行: 中级会员
第31 贴． 发表时间: 04-08-02 08:56
PDL是由于O光与E光能量分配不均匀，带来的能量差。熔接本身不会改变能量的分配，就不会引起的PDL的改变，但如果熔接损耗大，带来的基数就大，就会使PDL值上升。
个人愚见，仅供参考。
 
  晴天
修 行: 中级会员 
第32 贴． 发表时间: 04-08-02 09:58 
FENGZHUANG:
对这个很了解吗！是不是做过这方面的研究啊！

  ADFGFF
修 行: 中级会员 
第33 贴． 发表时间: 04-08-02 11:11                   
你們認識嗎?
另外﹐FENGZHUANG說全膠工藝的PDL較低﹐不知為什么?
能解釋一下嗎?

  FENGZHUANG
修 行: 中级会员 
第34 贴． 发表时间: 04-08-02 11:33 
通常对PDL值有要求的是有棱镜组成的器件，如隔离器，在制作CORE时，通过控制旋转角度，来控制PDL值；调光时控制o/e光的能量分配，使其到达理论要求；全玻璃（全胶）工艺可以保证在封装时各参数变化很小。从而达到可以控制！（个人见解，仅供参考）

  ADFGFF
修 行: 中级会员
第35 贴． 发表时间: 04-08-02 11:58
焊接的就不能通過旋转角度來調-PDL嗎?另外﹐如果是這樣﹐那是不是說光打在CORE的不同點上的PDL會不一樣呢?這跟制程有什么關系?

  FENGZHUANG
修 行: 中级会员
第36 贴． 发表时间: 04-08-02 12:43                     
在做CORE时通常需要调节双折射晶体，所谓偏左、偏右。来控制IL、ISO。一般焊接的调节是测试之后，而全玻璃（全胶）工艺是在制作过程中。两片晶体，如果不能保持平行，就会形成一个类似小棱镜的功能，就会影响成品的PDL值。
 
  ADFGFF
修 行: 中级会员 
第37 贴． 发表时间: 04-08-02 13:08                   
哦.....﹐了解..謝謝.
那對于WDM產品來說呢?也是這樣子嗎?
 
  晴天
修 行: 中级会员
第39 贴． 发表时间: 04-08-02 13:56                     
WDM这个就更好做了，它对PDL要求也不是太高。做法的话，应该也差不多， ADFGFF想做全玻璃产品吗？

  ADFGFF
修 行: 中级会员
第40 贴． 发表时间: 04-08-02 15:26                   
如果能更好控制PDL﹐那我就想試試..

  FENGZHUANG
修 行: 中级会员
第41 贴． 发表时间: 04-08-02 16:41                     
支持！

  ADFGFF
修 行: 中级会员
第42 贴． 发表时间: 04-08-03 08:20                   
有沒有具體如何做的一個資料呢?
 
  GDFT2005
修 行: 版主
第43 贴． 发表时间: 04-08-03 08:36                   
多次量测的平均值应该不会超过+/-0.005吧
多次量测的平均值应该不会超过+/-0.005吧﹐只是粗略的估计﹐我没有做过验证﹐但看过一个朋友的测试数据﹐其每次测得的数据呈水平的上下波动。

  GDFT2005
修 行: 版主
第44 贴． 发表时间: 04-08-03 08:39                   


好象发错地方了???
好象发错地方了???
: P

  晴天
修 行: 中级会员
第45 贴． 发表时间: 04-08-03 08:53                     
ADFGFF要是做GSWDM的话，那就很简单了，不过设备很贵。
我也支持！

  FENGZHUANG
修 行: 中级会员
第46 贴． 发表时间: 04-08-03 09:17                     
其实也不是很贵，简单实用的设备也有；如果你有一条焊接的WDM生产线，设计一些工夹具即可。关键是原材料的要求较高！
 
  valle
修 行: 初级会员
第47 贴． 发表时间: 04-08-03 11:26                   
呵呵~~~~又增長了不少見識﹗
 
  ADFGFF
修 行: 中级会员
第48 贴． 发表时间: 04-08-03 13:06                   
是的﹐我現在手上有2條焊接的WDM產線..
請告之我要如何做呢?

  allanyan214
修 行: 一般会员
第50 贴． 发表时间: 04-08-03 16:53
1.熔接點的多少與PDL無關﹐PDL主要取決于熔接點的品質。
2.熔接點的多少只會造成IL的迭加。

  hello5354
修 行: 一般站友 
第51 贴． 发表时间: 04-08-03 17:17
楼上的两个结论其实还需要一定的实作验正,WDL和IL的关系应该和基数大小比较明显吧.

  zrhfeng
修 行: 中级站友 
第52 贴． 发表时间: 04-08-08 11:07
IL的迭加只是个表面的现象,关键是要看它的WDL的变化趋势哦~~

  allanyan214
修 行: 一般会员 
第53 贴． 发表时间: 04-08-08 11:31
等你驗証做完給大家報告一下﹐讓我們接受一些新知識﹐呵。不過猜測與WDL沒有太大的關系。
 
  ADFGFF
修 行: 中级会员
第54 贴． 发表时间: 04-08-08 13:21
同意allanyan214的看法...對WDL沒有多少關系

  lane_nakata
修 行: 初级站友
第55 贴． 发表时间: 04-09-28 14:47
如果说WDL会随着IL的变大而变大的话，那也是因为光纤对接不好造成WDL偏离了本身的设计造成的。其实两者是没有直接关系的