[讨论]熔接点对PDL的影响
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zrhfeng 修 行: 中级站友 第1 贴. 发表时间: 04-03-25 16:41 大家好!想问一下个位高手,谁能说清楚熔接点的IL对PDL的影响呢?!
夜雨听声 修 行: 高级站友 第2 贴. 发表时间: 04-03-26 16:27 应该没有影响 Member 修 行: 孩子王 第3 贴. 发表时间: 04-03-26 16:35 这个问题主要看你熔接点的情况了,如果是一个气泡,那惨了,肯定受影响,如果只是简单的没有对准,那影响很小,基本没有多大的影响。
Frankxiao 修 行: 一般站友 第4 贴. 发表时间: 04-03-28 12:42 據我所知,應該是沒多大影響! shaben 修 行: 离恨宫宫主 第5 贴. 发表时间: 04-03-28 16:12 如果有气泡等情况,从理论上讲可能会引入不均匀应力,从而影响PDL,或者在做拉力检验或者封热缩管时,引入了不均匀的力,也应该如此,不过到底这样的不均匀应力有多大,几率多高,傻笨也不知道。一般经验来说,确实可能影响很小。
zrhfeng 修 行: 中级站友 第6 贴. 发表时间: 04-03-28 17:37 PDL是会有变化的,其实我知道变化不大,但我想知道的是:当IL增大时,PDL的变化趋势,以及WDL的变化趋势等.^&^ zrhfeng 修 行: 中级站友 第7 贴. 发表时间: 04-03-28 17:39 顺便问一下:PDL受什么东东的影响呢?!那些又是最能影响它的呢?! Member 修 行: 孩子王 第8 贴. 发表时间: 04-03-29 08:54 PDL主要受材料本身的均匀性和入射角度的影响,其他也有影响,比如表面光洁度等,但是一般大家都选择比较好的材料,所以这个不是很大的原因。 当IL变大的时候PDL也不怎么变化,因为以前有几次我测量产品的时候出了点问题,插损有20dB,但是PDL却很好,可见,插损对PDL影响不是很大。但是WDL主要看你设计的情况了,一般这个很小。 夜雨听声 修 行: 高级站友 第9 贴. 发表时间: 04-03-29 14:54 WDL主要看器件的设计和原材料的镀膜情况,跟IL和PDL好像没有什么太大的关系。 诚然 修 行: 一般站友 第11 贴. 发表时间: 04-03-29 22:00 我想zrhfeng问的是在融接两根光纤时,熔接点的IL对PDL的影响。在这种情况下,一般来说,PDL和WDL随IL的增加而变大。测一下用错位融接方法做的固定衰减器就知道了。
yamaha 修 行: 一般会员 第12 贴. 发表时间: 04-03-30 15:00 多谢啦 zrhfeng 修 行: 中级站友 第13 贴. 发表时间: 04-03-31 16:40 我做了个小实验,怎么结果是WDL会随着IL增大而增大,但是PDL没有多大的影响呢?!
诚然 修 行: 一般站友 第14 贴. 发表时间: 04-04-01 07:34 当IL小于5dB时,PDL的增加不是很明显,当IL大于5dB以后,可以看出明显的PDL变化。 Member 修 行: 孩子王 第15 贴. 发表时间: 04-04-01 08:12 你使用的是什么波长???980?1310?1550?1610?还是别的? 你有没有看看光纤本身有没有什么影响?
zrhfeng 修 行: 中级站友 第16 贴. 发表时间: 04-04-01 14:36 PDL多大是你所认为的明显变化呢?!我怎么测得结果IL在10dB以下,PDL都是在0.02dB以下呢!当然,不同型号的熔接机测试出来的结果是不完全相同的了! 波长是用EXFO扫描的啦!! shaben 修 行: 离恨宫宫主 第17 贴. 发表时间: 04-04-01 18:12 估计这个和焊接的损耗机制有关,例如两种不同的光纤,两侧的折射率不同,气泡,偏心后光的方向变化等都可能。傻笨甚至怀疑两种光纤的熔点不同,而电极只在上下两个方向加热,所以造成了一些畸变。 Member 修 行: 孩子王 第18 贴. 发表时间: 04-04-02 08:07 俺感觉这个情况很奇怪,如果真的是这样,那俺们的产品就没法做了! 因为根据俺扫描的结果,基本没有什么影响(数值超过1dB时,俺没有扫过)。 shaben 修 行: 离恨宫宫主 第19 贴. 发表时间: 04-04-03 16:58 或许因为我们从来没有做过这么大损耗的焊点吧,一般遇到焊点损耗大,都是直接重焊的。 Member 修 行: 孩子王 第20 贴. 发表时间: 04-04-05 08:11 俺不知道这么大的插损为什么不重新焊接,但是俺感觉焊接点对一些参数的影响很小。可能对插损的影响还是最大的。 FENGZHUANG 修 行: 中级会员 第21 贴. 发表时间: 04-04-07 17:03 俺只知道PDL是由于O光和E光能量分配不均匀所产生的,随着损耗的增大,能量分配差距大,PDL就会增大!(个人意见,供参考) Member 修 行: 孩子王 第22 贴. 发表时间: 04-04-08 13:33 所以当焊接点存在某种内在的应力的时候,容易产生应力双折射,从而PDL会不好,但是这个的影响还是比较随机的,至于焊成什么样子谁都比较难说。 zrhfeng 修 行: 中级站友 第23 贴. 发表时间: 04-04-11 14:12 不过,当要是需要衰减的时候,就不得不产生较大的IL损耗了!! Member 修 行: 孩子王 第24 贴. 发表时间: 04-04-12 07:41 呵呵,如果真的需要,那就只有自己做做看了,俺没有做过,所以不知道IL大了的影响,这个可能不是简单的插损衰减问题,可能设计到别的东西,如光束质量等,呵呵,不清楚.....
zrhfeng 修 行: 中级站友 第25 贴. 发表时间: 04-04-13 09:35 单膜光纤和多膜光纤的结果回会有差吗?! Member 修 行: 孩子王 第26 贴. 发表时间: 04-04-15 07:56 这个俺也不清楚,没有专门做试验过,估计影响差不多吧,对比来说,可能单模的影响大一些,呵呵,俺也不清楚啊,高手指点一下..... shaben 修 行: 离恨宫宫主 第27 贴. 发表时间: 04-04-17 18:03 是指单模光纤和多模光纤两种不同光纤焊接,还是指多模和多模、单模和单模焊接的区别,估计多模中,PDL不大,因为每个模不一直,最后造成的结果是一个平均的结果。
zrhfeng 修 行: 中级站友 第28 贴. 发表时间: 04-04-19 10:32 我指的是单模对单模,双模对双模的连接损耗!不过,我认为应该差别不大! GDFT2005 修 行: 版主 第29 贴. 发表时间: 04-08-01 17:36 大家的言论给我这个新手很多启迪﹐谢谢﹗ 鄙人认为﹕PDL一般只会受到光传输路径中材料介质的影响﹐所以如果熔接成功﹐光纤没有严重弯曲﹐PDL的测试数据不会有什幺变化。而WDL就不同﹐也就是说不同的波长点的插入损失会不一样﹐在LOSS很大的时候﹐WDL就会有变大的趋势。 大家的言论给我这个新手很多启迪﹐谢谢﹗ 看来是应该多来见见世面啊﹐学习啊。 ADFGFF 修 行: 中级会员 第30 贴. 发表时间: 04-08-02 08:11 變化量多少﹐才叫有影響呢? 我用的測試系統﹐本身量測誤差就是+/-0.01dB.. 不知道大家的如何? FENGZHUANG 修 行: 中级会员 第31 贴. 发表时间: 04-08-02 08:56 PDL是由于O光与E光能量分配不均匀,带来的能量差。熔接本身不会改变能量的分配,就不会引起的PDL的改变,但如果熔接损耗大,带来的基数就大,就会使PDL值上升。 个人愚见,仅供参考。 晴天 修 行: 中级会员 第32 贴. 发表时间: 04-08-02 09:58 FENGZHUANG: 对这个很了解吗!是不是做过这方面的研究啊!
ADFGFF 修 行: 中级会员 第33 贴. 发表时间: 04-08-02 11:11 你們認識嗎? 另外﹐FENGZHUANG說全膠工藝的PDL較低﹐不知為什么? 能解釋一下嗎? FENGZHUANG 修 行: 中级会员 第34 贴. 发表时间: 04-08-02 11:33 通常对PDL值有要求的是有棱镜组成的器件,如隔离器,在制作CORE时,通过控制旋转角度,来控制PDL值;调光时控制o/e光的能量分配,使其到达理论要求;全玻璃(全胶)工艺可以保证在封装时各参数变化很小。从而达到可以控制!(个人见解,仅供参考)
ADFGFF 修 行: 中级会员 第35 贴. 发表时间: 04-08-02 11:58 焊接的就不能通過旋转角度來調-PDL嗎?另外﹐如果是這樣﹐那是不是說光打在CORE的不同點上的PDL會不一樣呢?這跟制程有什么關系?
FENGZHUANG 修 行: 中级会员 第36 贴. 发表时间: 04-08-02 12:43 在做CORE时通常需要调节双折射晶体,所谓偏左、偏右。来控制IL、ISO。一般焊接的调节是测试之后,而全玻璃(全胶)工艺是在制作过程中。两片晶体,如果不能保持平行,就会形成一个类似小棱镜的功能,就会影响成品的PDL值。 ADFGFF 修 行: 中级会员 第37 贴. 发表时间: 04-08-02 13:08 哦.....﹐了解..謝謝. 那對于WDM產品來說呢?也是這樣子嗎? 晴天 修 行: 中级会员 第39 贴. 发表时间: 04-08-02 13:56 WDM这个就更好做了,它对PDL要求也不是太高。做法的话,应该也差不多, ADFGFF想做全玻璃产品吗?
ADFGFF 修 行: 中级会员 第40 贴. 发表时间: 04-08-02 15:26 如果能更好控制PDL﹐那我就想試試..
FENGZHUANG 修 行: 中级会员 第41 贴. 发表时间: 04-08-02 16:41 支持!
ADFGFF 修 行: 中级会员 第42 贴. 发表时间: 04-08-03 08:20 有沒有具體如何做的一個資料呢? GDFT2005 修 行: 版主 第43 贴. 发表时间: 04-08-03 08:36 多次量测的平均值应该不会超过+/-0.005吧 多次量测的平均值应该不会超过+/-0.005吧﹐只是粗略的估计﹐我没有做过验证﹐但看过一个朋友的测试数据﹐其每次测得的数据呈水平的上下波动。
GDFT2005 修 行: 版主 第44 贴. 发表时间: 04-08-03 08:39
好象发错地方了??? 好象发错地方了??? : P
晴天 修 行: 中级会员 第45 贴. 发表时间: 04-08-03 08:53 ADFGFF要是做GSWDM的话,那就很简单了,不过设备很贵。 我也支持!
FENGZHUANG 修 行: 中级会员 第46 贴. 发表时间: 04-08-03 09:17 其实也不是很贵,简单实用的设备也有;如果你有一条焊接的WDM生产线,设计一些工夹具即可。关键是原材料的要求较高! valle 修 行: 初级会员 第47 贴. 发表时间: 04-08-03 11:26 呵呵~~~~又增長了不少見識﹗ ADFGFF 修 行: 中级会员 第48 贴. 发表时间: 04-08-03 13:06 是的﹐我現在手上有2條焊接的WDM產線.. 請告之我要如何做呢? allanyan214 修 行: 一般会员 第50 贴. 发表时间: 04-08-03 16:53 1.熔接點的多少與PDL無關﹐PDL主要取決于熔接點的品質。 2.熔接點的多少只會造成IL的迭加。
hello5354 修 行: 一般站友 第51 贴. 发表时间: 04-08-03 17:17 楼上的两个结论其实还需要一定的实作验正,WDL和IL的关系应该和基数大小比较明显吧. zrhfeng 修 行: 中级站友 第52 贴. 发表时间: 04-08-08 11:07 IL的迭加只是个表面的现象,关键是要看它的WDL的变化趋势哦~~
allanyan214 修 行: 一般会员 第53 贴. 发表时间: 04-08-08 11:31 等你驗証做完給大家報告一下﹐讓我們接受一些新知識﹐呵。不過猜測與WDL沒有太大的關系。 ADFGFF 修 行: 中级会员 第54 贴. 发表时间: 04-08-08 13:21 同意allanyan214的看法...對WDL沒有多少關系
lane_nakata 修 行: 初级站友 第55 贴. 发表时间: 04-09-28 14:47 如果说WDL会随着IL的变大而变大的话,那也是因为光纤对接不好造成WDL偏离了本身的设计造成的。其实两者是没有直接关系的
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