小弟愚鲁

是不是考虑到了压电效应？或者加电压后铌酸锂晶体的o轴折射率也会变化吗？

偏压较高（数百），但控制信号高的光开关（<10v），有实用性吗？

还有一点不太明白，因为我做的M-Z结构实验非常不稳定。在实际的铌酸锂调制器中是如何克服这个问题的呢？
谢谢

[QUOTE][i]最初由shaben发布[/i]
[B]对于半波电压的高低之分，傻笨有点和大猫不一样的想法，因为d不同，一个是mm量级，一个是um量级，对于同样的场强E＝V/d，那么d差1000倍，V也就差了1000倍了。

[/B][/QUOTE]
sigh,是我错了。原来如此。

[QUOTE][i]最初由polyfish发布[/i]
[B]还有一点不太明白，因为我做的M-Z结构实验非常不稳定。在实际的铌酸锂调制器中是如何克服这个问题的呢？
谢谢[/B][/QUOTE]
你的M-Z结构是如何做的，是在集成波导上做的吗?

实际的铌酸锂调制器也不是很稳定的，有温漂的问题。这个要用反馈电路对偏置点进行控制。

但是加了保护，把整个结构封装了，稳定度只达到了分钟量极。

可能有两个因素
1)偏振。温度变化，引起两路干涉时候偏振态变化。
2)长度。温度导致长度的变化，光纤微小变化差不到1um,那么相位会变化pi。
减小臂长总长度有一定帮助。

同意大猫的看法，对于温度，是一个慢漂移，一般的温漂在0.1Hz以下，所以可以通过隔直的办法简单处理，对于偏振，没有什么好办法，唯一的办法就是做好了调整到最佳后尽量不去动它，连震动都尽量避免才好。
并且上述前提是在MZ是在米量级的情况下得到的，傻笨前段时间做了一个50km壁长的MZ实验，实验结果是距离这个MZ5米以外的地方用普通声音说话，在MZ的输出都可以得到满量程+/-5V的信号，可以做窃听器了，呵呵，反过来说，任何震动都可能造成光纤型的MZ不稳定。

应该是大狗版主，大花猫在此！